IVO.md
0

SSD Samsung 990 PRO NVMe PCIe 4.0 x4 M.2 2280 4TB MZ-V9P4T0CW cu Radiator, Citire 7450MB/s, Scriere 6900MB/s, 3D NAND TLC

SSD Samsung 990 PRO NVMe PCIe 4.0 x4 M.2 2280 4TB MZ-V9P4T0CW cu Radiator, Citire 7450MB/s, Scriere 6900MB/s, 3D NAND TLC
SSD Samsung 990 PRO NVMe PCIe 4.0 x4 M.2 2280 4TB MZ-V9P4T0CW cu Radiator, Citire 7450MB/s, Scriere 6900MB/s, 3D NAND TLC
SSD Samsung 990 PRO NVMe PCIe 4.0 x4 M.2 2280 4TB MZ-V9P4T0CW cu Radiator, Citire 7450MB/s, Scriere 6900MB/s, 3D NAND TLC
SSD Samsung 990 PRO NVMe PCIe 4.0 x4 M.2 2280 4TB MZ-V9P4T0CW cu Radiator, Citire 7450MB/s, Scriere 6900MB/s, 3D NAND TLC
SSD Samsung 990 PRO NVMe PCIe 4.0 x4 M.2 2280 4TB MZ-V9P4T0CW cu Radiator, Citire 7450MB/s, Scriere 6900MB/s, 3D NAND TLC
SSD Samsung 990 PRO NVMe PCIe 4.0 x4 M.2 2280 4TB MZ-V9P4T0CW cu Radiator, Citire 7450MB/s, Scriere 6900MB/s, 3D NAND TLC
SSD Samsung 990 PRO NVMe PCIe 4.0 x4 M.2 2280 4TB MZ-V9P4T0CW cu Radiator, Citire 7450MB/s, Scriere 6900MB/s, 3D NAND TLC
SSD Samsung 990 PRO NVMe PCIe 4.0 x4 M.2 2280 4TB MZ-V9P4T0CW cu Radiator, Citire 7450MB/s, Scriere 6900MB/s, 3D NAND TLC

SSD Samsung 990 PRO NVMe PCIe 4.0 x4 M.2 2280 4TB MZ-V9P4T0CW cu Radiator, Citire 7450MB/s, Scriere 6900MB/s, 3D NAND TLC

Livrare în or. Chișinău
Livrare la domiciliu
date.marți, 06.10.2026 (1 zile lucrătoare)
42 MDL
O alta persoana se uită la acest produs
Samsung
Vezi toate produsele acestei mărci
Samsung
19499.00 MDL
Vândut de Doorify5.0 și livrat de IVO
În stoc

Descriere

Samsung 990 PRO cu radiator este un SSD intern M.2 2280 cu o capacitate generoasă, conceput pentru cele mai solicitante sarcini de procesare a datelor. Folosind interfața NVMe PCIe 4.0 x4 și memoria flash 3D NAND TLC, acest model de 4TB atinge viteze de citire secvențială de până la 7450 MB/s și de scriere de 6900 MB/s, ceea ce permite încărcarea aproape instantanee a fișierelor mari și a aplicațiilor complexe. Pentru a menține aceste performanțe în timpul utilizării intense, unitatea dispune de un radiator integrat care gestionează temperatura, prevenind scăderea vitezei cauzată de supraîncălzire. Hardware-ul este gestionat de un controller propriu Samsung și oferă o rezistență ridicată de 2400 TBW, asigurând fiabilitatea pe termen lung chiar și în condiții de utilizare extremă. Securitatea datelor este garantată prin criptarea AES cu 256 de biți. Cu o greutate de doar 28g și dimensiuni de 80,15 x 25 x 8,88 mm, acesta se instalează ușor în plăcile de bază compatibile. Este o alegere potrivită pentru editorii video profesioniști, designerii 3D sau gameri care au nevoie de un spațiu de stocare vast și de cele mai rapide timpi de răspuns pentru stația lor de lucru.

Caracteristici

Specificații generale

Capacitate
4 TB
Factor de formă
M.2 2280
Interfață
PCIe 4.0 x4
Suport NVMe
Da

Performanță

Viteză maximă de citire secvențială
7450 MB/s
Viteză maximă de scriere secvențială
6900 MB/s
Citire aleatorie (4KB, QD32)
1.600.000 IOPS
Scriere aleatorie (4KB, QD32)
1 550 000 IOPS

Fiabilitate și durabilitate

TBW (Total octeți scriși)
2400 TB

Detalii tehnice

Cache DRAM
Da
Suport criptare
AES 256-bit
Controller
Samsung (propriu)
Tip memorie
V-NAND

Caracteristici fizice

Radiator
Inclus
Dimensiuni
80,15 x 25 x 8,88 mm
Greutate
28 g
IVO.md se străduiește în permanență să asigure acuratețea informațiilor de pe acest site. Cu toate acestea, ocazional, pot exista mici discrepanțe: imaginile produselor sunt doar în scop ilustrativ și pot include elemente care nu se regăsesc în pachetele standard, specificațiile produselor pot suferi modificări fără o notificare prealabilă din partea producătorilor sau pot conține erori neintenționate. Toate ofertele speciale sunt supuse disponibilității în limita stocului disponibil.

Recenzii

Fii primul care lasă o recenzie
Lasă o recenzie
Alege o notă pentru acest produs